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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - HF › BFU730LXZ
BFU730LXZ

BFU730LXZ - NXP USA Inc.

Artikelnummer
BFU730LXZ
Hersteller
NXP USA Inc.
Kurze Beschreibung
TRANS RF NPN 3V 30MA XQFN3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BFU730LXZ PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
181167 pcs
Referenzpreis
USD 0.1439/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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BFU730LXZ detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BFU730LXZ
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 3V
Frequenz - Übergang 53GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.75dB @ 6GHz
Gewinnen 15.8dB
Leistung max 160mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 205 @ 2mA, 3V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 30mA
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 3-XFDFN
Lieferantengerätepaket 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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