BFU660F,115 - NXP USA Inc.

Numéro d'article	BFU660F,115
État de la pièce	Active
Type de transistor	NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	5.5V
Fréquence - Transition	21GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f)	0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Gain	12dB ~ 21dB
Puissance - Max	225mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	90 @ 10mA, 2V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	60mA
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-343F
Package de périphérique fournisseur	4-DFP
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BFU610F,115	NXP USA Inc.	TRANSISTOR NPN SOT343F	Détails
BFU630F,115	NXP USA Inc.	TRANSISTOR NPN SOT343F-4	Détails
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