BFU660F,115

BFU660F,115 - NXP USA Inc.

Artikelnummer
BFU660F,115
Hersteller
NXP USA Inc.
Kurze Beschreibung
TRANSISTOR NPN SOT343F-4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BFU660F,115 PDF-Online-Browsing
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Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
9010 pcs
Referenzpreis
USD 0.48/pcs
Unser Preis
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BFU660F,115 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BFU660F,115
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 5.5V
Frequenz - Übergang 21GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Gewinnen 12dB ~ 21dB
Leistung max 225mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 10mA, 2V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 60mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-343F
Lieferantengerätepaket 4-DFP
Gewicht -
Ursprungsland -

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