A2I25H060NR1

A2I25H060NR1 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
A2I25H060NR1
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
IC RF LDMOS AMP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
A2I25H060NR1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
771 pcs
Prix ​​de référence
USD 35.148/pcs
Notre prix
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A2I25H060NR1 Description détaillée

Numéro d'article A2I25H060NR1
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 2.59GHz
Gain 26.1dB
Tension - Test 28V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Actuel - Test 26mA
Puissance - Sortie 10.5W
Tension - Rated 65V
Paquet / cas TO-270-17 Variant, Flat Leads
Package de périphérique fournisseur TO-270WB-17
Poids -
Pays d'origine -

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