A2I20H060GNR1

A2I20H060GNR1 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
A2I20H060GNR1
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
IC TRANS RF LDMOS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
A2I20H060GNR1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
753 pcs
Prix ​​de référence
USD 34.404/pcs
Notre prix
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A2I20H060GNR1 Description détaillée

Numéro d'article A2I20H060GNR1
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 1.84GHz
Gain 28.9dB
Tension - Test 28V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Actuel - Test 24mA
Puissance - Sortie 12W
Tension - Rated 65V
Paquet / cas TO-270-14 Variant, Gull Wing
Package de périphérique fournisseur TO-270WBG-15
Poids -
Pays d'origine -

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