PSMN5R0-100ES,127

PSMN5R0-100ES,127 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article
PSMN5R0-100ES,127
Fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
10790 pcs
Prix ​​de référence
USD 3.32/pcs
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PSMN5R0-100ES,127 Description détaillée

Numéro d'article PSMN5R0-100ES,127
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9900pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur I2PAK
Paquet / cas TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids -
Pays d'origine -

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