PRMD10Z - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article	PRMD10Z
État de la pièce	Active
Type de transistor	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	100mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100nA
Fréquence - Transition	230MHz
Puissance - Max	480mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-XFDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur	DFN1412-6
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
PRM110	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM>1GHZ U.FL ANT	Détails
PRM111	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM>1GHZ CHIP ANT	Détails
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