PRMD10Z - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer	PRMD10Z
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	100mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	100nA
Frequenz - Übergang	230MHz
Leistung max	480mW
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-XFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket	DFN1412-6
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
PRM110	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM>1GHZ U.FL ANT	Einzelheiten
PRM111	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM>1GHZ CHIP ANT	Einzelheiten
PRM112	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM>1GHZ U.FL ANT	Einzelheiten
PRM113	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM>1GHZ CHIP ANT	Einzelheiten
PRM120	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM>1GHZ U.FL ANT	Einzelheiten
PRM121	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM>1GHZ CHIP ANT	Einzelheiten
PRM122	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM>1GHZ U.FL ANT	Einzelheiten
PRM123	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM>1GHZ CHIP ANT	Einzelheiten
PRM210	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM<1GHZ U.FL ANT	Einzelheiten
PRM211	Laird - Embedded Wireless Solutions	RF TXRX MODULE ISM<1GHZ CHIP ANT	Einzelheiten