| Numéro d'article | PMDPB80XP,115 |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 2.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 10V |
| Puissance - Max | 485mW |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 6-UDFN Exposed Pad |
| Package de périphérique fournisseur | DFN2020-6 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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PMDPB28UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6 | Détails |
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PMDPB30XN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON | Détails |
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PMDPB38UNE,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6 | Détails |
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PMDPB42UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6 | Détails |
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PMDPB55XP,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON | Détails |
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PMDPB56XN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 | Détails |
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PMDPB56XNEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET ARRAY 2NCH 30V DFN2020D-6 | Détails |
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PMDPB58UPE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 | Détails |
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PMDPB65UP,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 | Détails |
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PMDPB70EN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN | Détails |
