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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés › PDTC114ET/DG/B2,21
PDTC114ET/DG/B2,21

PDTC114ET/DG/B2,21 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article
PDTC114ET/DG/B2,21
Fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
TRANS RET TO-236AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
65832 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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PDTC114ET/DG/B2,21 Description détaillée

Numéro d'article PDTC114ET/DG/B2,21
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1µA
Fréquence - Transition 230MHz
Puissance - Max 250mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur TO-236AB
Poids -
Pays d'origine -

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