PBSS5130PAP,115

PBSS5130PAP,115 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article
PBSS5130PAP,115
Fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
TRANS 2PNP 30V 1A 6HUSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
128846 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1976/pcs
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PBSS5130PAP,115 Description détaillée

Numéro d'article PBSS5130PAP,115
État de la pièce Active
Type de transistor 2 PNP (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 1A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 280mV @ 50mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 170 @ 500mA, 2V
Puissance - Max 510mW
Fréquence - Transition 125MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-UDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur DFN2020-6
Poids -
Pays d'origine -

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