NX3008NBKW,115 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article	NX3008NBKW,115
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	350mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.68nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 15V
Vgs (Max)	±8V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	260mW (Ta), 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-323-3
Paquet / cas	SC-70, SOT-323
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
NX3008CBKS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP	Détails
NX3008CBKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 30V SOT666	Détails
NX3008NBK,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V TO-236AB	Détails
NX3008NBKMB,315	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN	Détails
NX3008NBKS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP	Détails
NX3008NBKSH	Nexperia USA Inc.	NX3008NBKS/SC-88/REEL 7" Q3/T4	Détails
NX3008NBKT,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V SC-75	Détails
NX3008NBKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT666	Détails
NX3008NBKVL	Nexperia USA Inc.	NX3008NBK/SOT23/TO-236AB	Détails
NX3008NBKW,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V SOT323	Détails