BUK9MJT-55PRF,518

BUK9MJT-55PRF,518 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article
BUK9MJT-55PRF,518
Fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
Code de date
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4238 pcs
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BUK9MJT-55PRF,518 Description détaillée

Numéro d'article BUK9MJT-55PRF,518
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max -
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Package de périphérique fournisseur 20-SO
Poids -
Pays d'origine -

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