BUK9MJT-55PRF,518 - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer	BUK9MJT-55PRF,518
Teilstatus	Active
FET Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft	Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	13.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Leistung max	-
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket	20-SO
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BUK9MJJ-55PSS/A,51	Nexperia USA Inc.	55V N CH TRENCHFET	Einzelheiten
BUK9MJJ-55PTT,518	Nexperia USA Inc.	9648 MISC TRENCHFET	Einzelheiten
BUK9MJJ-65PLL,518	Nexperia USA Inc.	9605 AUTO TRENCH PLUS	Einzelheiten
BUK9MJT-55PRF,518	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC	Einzelheiten