2N7002PV,115

2N7002PV,115 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article
2N7002PV,115
Fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
2N7002PV,115.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
228155 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1109/pcs
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2N7002PV,115 Description détaillée

Numéro d'article 2N7002PV,115
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V
Puissance - Max 330mW
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur SOT-666
Poids -
Pays d'origine -

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