2N7002PSZ - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article	2N7002PSZ
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.8nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V
Puissance - Max	280mW
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur	6-TSSOP
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
2N7000	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000,126	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92	Détails
2N7000-D26Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000-D74Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000-D75Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3	Détails
2N7000BU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92	Détails
2N7000BU_T	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V TO92	Détails
2N7000CSM	SEME-LAB	N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR	Détails
2N7000G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails