| Numéro d'article | JANTX2N4091 |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Tension - Panne (V (BR) GSS) | 40V |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 40V |
| Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 30mA @ 20V |
| Drain de courant (Id) - Max | - |
| Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | - |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 16pF @ 20V |
| Résistance - RDS (On) | 30 Ohm |
| Puissance - Max | 360mW |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Package de périphérique fournisseur | TO-18 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Détails |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | Détails |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Détails |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Détails |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Détails |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Détails |
