| Número de pieza | JANTX2N4091 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Voltaje - avería (V (BR) GSS) | 40V |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 30mA @ 20V |
| Drenaje actual (Id) - Max | - |
| Voltaje - Corte (VGS apagado) @ Id | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 16pF @ 20V |
| Resistencia - RDS (Encendido) | 30 Ohm |
| Potencia - Max | 360mW |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-18 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | Detalles |
 |
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Detalles |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Detalles |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | Detalles |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Detalles |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Detalles |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Detalles |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Detalles |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Detalles |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Detalles |
