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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples › JANSR2N2907AUB
JANSR2N2907AUB

JANSR2N2907AUB - Microsemi Corporation

Numéro d'article
JANSR2N2907AUB
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
BJTS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
JANSR2N2907AUB Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1787 pcs
Prix ​​de référence
USD 92.057/pcs
Notre prix
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JANSR2N2907AUB Description détaillée

Numéro d'article JANSR2N2907AUB
État de la pièce Active
Type de transistor PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 600mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 50nA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 10V
Puissance - Max 500mW
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 3-SMD, No Lead
Package de périphérique fournisseur UB
Poids -
Pays d'origine -

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