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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › APTGT50DH120TG
APTGT50DH120TG

APTGT50DH120TG - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTGT50DH120TG
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APTGT50DH120TG Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
474 pcs
Prix ​​de référence
USD 53.8223/pcs
Notre prix
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APTGT50DH120TG Description détaillée

Numéro d'article APTGT50DH120TG
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Asymmetrical Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 75A
Puissance - Max 277W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 3.6nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP4
Package de périphérique fournisseur SP4
Poids -
Pays d'origine -

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