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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › APTGT35A120D1G
APTGT35A120D1G

APTGT35A120D1G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTGT35A120D1G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APTGT35A120D1G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3907 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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APTGT35A120D1G Description détaillée

Numéro d'article APTGT35A120D1G
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 55A
Puissance - Max 205W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas D1
Package de périphérique fournisseur D1
Poids -
Pays d'origine -

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