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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › APTGT25A120T1G
APTGT25A120T1G

APTGT25A120T1G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTGT25A120T1G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APTGT25A120T1G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
APTGT25A120T1G.pdf
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3799 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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APTGT25A120T1G Description détaillée

Numéro d'article APTGT25A120T1G
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 40A
Puissance - Max 156W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 1.8nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP1
Package de périphérique fournisseur SP1
Poids -
Pays d'origine -

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