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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › APTGT200DA120D3G
APTGT200DA120D3G

APTGT200DA120D3G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTGT200DA120D3G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT 1200V 300A 1050W D3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APTGT200DA120D3G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
341 pcs
Prix ​​de référence
USD 76.0793/pcs
Notre prix
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APTGT200DA120D3G Description détaillée

Numéro d'article APTGT200DA120D3G
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 300A
Puissance - Max 1050W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 200A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 6mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas D-3 Module
Package de périphérique fournisseur D3
Poids -
Pays d'origine -

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