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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGT200DA120D3G
APTGT200DA120D3G

APTGT200DA120D3G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGT200DA120D3G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 300A 1050W D3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGT200DA120D3G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
348 pcs
Referenzpreis
USD 76.0793/pcs
Unser Preis
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APTGT200DA120D3G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGT200DA120D3G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 300A
Leistung max 1050W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 6mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall D-3 Module
Lieferantengerätepaket D3
Gewicht -
Ursprungsland -

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