APTGT150DU170G - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APTGT150DU170G
État de la pièce	Obsolete
Type d'IGBT	Trench Field Stop
Configuration	Dual, Common Source
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	250A
Puissance - Max	890W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 150A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	350µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	13.5nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	SP6
Package de périphérique fournisseur	SP6
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APTGT100A1202G	Microsemi Corporation	MOD IGBT 1200V 140A SP2	Détails
APTGT100A120D1G	Microsemi Corporation	IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1	Détails
APTGT100A120T3AG	Microsemi Corporation	MOD IGBT 1200V 140A SP3	Détails
APTGT100A120TG	Microsemi Corporation	IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4	Détails
APTGT100A170D1G	Microsemi Corporation	IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1	Détails
APTGT100A170TG	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4	Détails
APTGT100A602G	Microsemi Corporation	MOD IGBT 600V 150A SP2	Détails
APTGT100A60T1G	Microsemi Corporation	IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1	Détails
APTGT100A60TG	Microsemi Corporation	IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4	Détails
APTGT100BB60T3G	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3	Détails