APTGT150DH120G

APTGT150DH120G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTGT150DH120G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
264 pcs
Prix ​​de référence
USD 100.1492/pcs
Notre prix
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APTGT150DH120G Description détaillée

Numéro d'article APTGT150DH120G
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Asymmetrical Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 220A
Puissance - Max 690W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 350µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 10.7nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP6
Package de périphérique fournisseur SP6
Poids -
Pays d'origine -

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