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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › APTGT100H170G
APTGT100H170G

APTGT100H170G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTGT100H170G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APTGT100H170G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
184 pcs
Prix ​​de référence
USD 145.6081/pcs
Notre prix
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APTGT100H170G Description détaillée

Numéro d'article APTGT100H170G
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Full Bridge Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 150A
Puissance - Max 560W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 350µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 9nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP6
Package de périphérique fournisseur SP6
Poids -
Pays d'origine -

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