APTGLQ25H120T2G

APTGLQ25H120T2G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTGLQ25H120T2G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
POWER MODULE - IGBT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4110 pcs
Prix ​​de référence
USD 40.0554/pcs
Notre prix
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APTGLQ25H120T2G Description détaillée

Numéro d'article APTGLQ25H120T2G
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Full Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50A
Puissance - Max 165W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.42V @ 15V, 25A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 50µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 1.43nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur SP2
Poids -
Pays d'origine -

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