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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGLQ25H120T2G
APTGLQ25H120T2G

APTGLQ25H120T2G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGLQ25H120T2G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
POWER MODULE - IGBT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGLQ25H120T2G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4110 pcs
Referenzpreis
USD 40.0554/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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APTGLQ25H120T2G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGLQ25H120T2G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50A
Leistung max 165W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.42V @ 15V, 25A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.43nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket SP2
Gewicht -
Ursprungsland -

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