APT8024LLLG - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT8024LLLG
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	31A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	160nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4670pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	565W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 15.5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-264 [L]
Paquet / cas	TO-264-3, TO-264AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT8014JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227	Détails
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APT8024JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227	Détails
APT8024LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 31A TO-264	Détails
APT8024LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 31A TO-264	Détails