APT8020JLL - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT8020JLL
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	33A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	195nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 16.5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur	ISOTOP®
Paquet / cas	SOT-227-4, miniBLOC
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT8014JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227	Détails
APT8015JVR	APT	APT8015JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
APT8018JN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP	Détails
APT8020B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX	Détails
APT8020JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227	Détails
APT8020LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 38A TO-264	Détails
APT8024B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX	Détails
APT8024JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227	Détails
APT8024LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 31A TO-264	Détails
APT8024LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 31A TO-264	Détails