| Numéro d'article | APT64GA90B |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | PT |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 900V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 117A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 193A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 38A |
| Puissance - Max | 500W |
| Échange d'énergie | 1857µJ (on), 2311µJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 162nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 18ns/131ns |
| Condition de test | 600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 [B] |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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APT6013JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 | Détails |
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APT6013LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 | Détails |
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APT6017B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX | Détails |
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APT6017LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | Détails |
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APT6017LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | Détails |
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