APT6017B2LLG

APT6017B2LLG - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APT6017B2LLG
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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38947 pcs
Prix ​​de référence
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APT6017B2LLG Description détaillée

Numéro d'article APT6017B2LLG
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 500W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur T-MAX™ [B2]
Paquet / cas TO-247-3 Variant
Poids -
Pays d'origine -

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