APT50GF60JCU2 - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT50GF60JCU2
État de la pièce	Obsolete
Type d'IGBT	NPT
Configuration	Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	70A
Puissance - Max	277W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	2.2nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis, Stud Mount
Paquet / cas	SOT-227-4, miniBLOC
Package de périphérique fournisseur	SOT-227
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT5010B2FLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX	Détails
APT5010B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX	Détails
APT5010JFLL	APT	APT5010JFLL APT SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
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APT5010JLLU3	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 41A SOT227	Détails
APT5010JN	APT	APT5010JN APT SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
APT5010JVR	APT	APT5010JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
APT5010JVRU2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 44A SOT227	Détails
APT5010JVRU3	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 44A SOT227	Détails
APT5010LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A TO-264	Détails