APT100GT120JRDQ4 - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT100GT120JRDQ4
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	NPT
Configuration	Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	123A
Puissance - Max	570W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3.7V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	200µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	7.85nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	ISOTOP
Package de périphérique fournisseur	ISOTOP®
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT1001R1BN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD	Détails
APT1001RBN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD	Détails
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APT10035LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264	Détails