| Numéro d'article | 1N5637AE3/TR |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type | Zener |
| Canaux unidirectionnels | 1 |
| Canaux bidirectionnels | - |
| Tension - Inverser l'écart (Typ) | 12.8V |
| Tension - Panne (Min) | 14.3V |
| Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 21.2V |
| Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) | 71A |
| Puissance - Impulsion de crête | 1500W (1.5kW) |
| Protection de ligne électrique | No |
| Applications | General Purpose |
| Capacité @ Fréquence | - |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C (TA) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | DO-13 |
| Package de périphérique fournisseur | DO-13 (DO-202AA) |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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1N5610 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G-PKG | Détails |
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1N5611 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | Détails |
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1N5613 | Microsemi Corporation | TVS DIODE C-BODY | Détails |
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1N5614 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Détails |
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1N5614GP | VISHAY | 1N5614GP VISHAY DO-15 New Original Stocks | Détails |
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1N5614GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | Détails |
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1N5614GP-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | Détails |
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1N5614GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | Détails |
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1N5614US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A D5A | Détails |
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1N5615 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Détails |
