| Numéro d'article | 1N4900 |
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| État de la pièce | Active |
| Tension - Zener (Nom) (Vz) | 12.8V |
| Tolérance | ±5% |
| Puissance - Max | 400mW |
| Impédance (Max) (Zzt) | 200 Ohm |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | - |
| Température de fonctionnement | -25°C ~ 100°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | DO-204AA, DO-7, Axial |
| Package de périphérique fournisseur | DO-7 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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1N-SS119 | SEMTECH_ELEC | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | Détails |
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1N-SS254 | SEMTECH | Packing Specification of 52mm Ammo Pack | Détails |
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1N102 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Détails |
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1N103 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Détails |
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1N104 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Détails |
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1N107 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Détails |
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1N108 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Détails |
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1N1081 | EXSHINE | 1N1081 | Détails |
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1N1081A | EXSHINE | 1N1081 | Détails |
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1N1082 | EXSHINE | 1N1081 | Détails |
