| Número de pieza | 1N4900 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 12.8V |
| Tolerancia | ±5% |
| Potencia - Max | 400mW |
| Impedancia (Máx.) (Zzt) | 200 Ohm |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | - |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
| Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 100°C |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | DO-204AA, DO-7, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-7 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
1N-SS119 | SEMTECH_ELEC | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | Detalles |
|
1N-SS254 | SEMTECH | Packing Specification of 52mm Ammo Pack | Detalles |
|
1N102 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Detalles |
|
1N103 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Detalles |
|
1N104 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Detalles |
|
1N107 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Detalles |
|
1N108 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Detalles |
|
1N1081 | EXSHINE | 1N1081 | Detalles |
|
1N1081A | EXSHINE | 1N1081 | Detalles |
|
1N1082 | EXSHINE | 1N1081 | Detalles |
