MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A - Micron Technology Inc.

Numéro d'article: MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A
Fabricant: Micron Technology Inc.
Brève description: IC FLASH 512GBIT 100MHZ 100LBGA
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie: Mémoire
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Numéro d'article	MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A
État de la pièce	Obsolete
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de la mémoire	FLASH
La technologie	FLASH - NAND
Taille mémoire	512Gb (64G x 8)
Fréquence d'horloge	100MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page	-
Temps d'accès	-
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	2.7 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage	-
Paquet / cas	-
Package de périphérique fournisseur	-
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512GBIT 167MHZ 132LBGA	Détails
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ	Détails
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152LBGA	Détails
MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512GBIT 167MHZ TLGA	Détails
MT29F512G08AUEBBH8-12:B	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ	Détails
MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ	Détails
MT29F512G08AUEBBK8-12:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512GBIT 83MHZ TLGA	Détails
MT29F512G08CECBBJ4-37:B	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ	Détails
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512GBIT 267MHZ 132VBGA	Détails
MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512GBIT 267MHZ 132VBGA	Détails