| Numéro d'article | MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B |
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| État de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de la mémoire | FLASH |
| La technologie | FLASH - NAND |
| Taille mémoire | 512Gb (64G x 8) |
| Fréquence d'horloge | 166MHz |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface de mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | - |
| Paquet / cas | - |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 167MHZ 132LBGA | Détails |
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MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ | Détails |
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MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152LBGA | Détails |
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MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 167MHZ TLGA | Détails |
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MT29F512G08AUEBBH8-12:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ | Détails |
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MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ | Détails |
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MT29F512G08AUEBBK8-12:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 83MHZ TLGA | Détails |
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MT29F512G08CECBBJ4-37:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ | Détails |
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MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 267MHZ 132VBGA | Détails |
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MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 267MHZ 132VBGA | Détails |
