SI3420A-TP - Micro Commercial Co

Numéro d'article	SI3420A-TP
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	6A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Vgs (Max)	±10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	515pF @ 10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.25W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-23
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SI3400-BZ-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Détails
SI3400-C-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Détails
SI3400-D-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Détails
SI3400-E1-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Détails
SI3400-GM	Silicon Labs	IC POWER OVER ETHERNET 20QFN	Détails
SI3400A-TP	Micro Commercial Co	N-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE	Détails
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