| Numéro d'article | SI3420A-TP |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 515pF @ 10V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1.25W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-23 |
| Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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SI3400-C-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | Détails |
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SI3400-D-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | Détails |
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SI3400-E1-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | Détails |
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SI3400-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | Détails |
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SI3400A-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE | Détails |
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SI3401-D-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | Détails |
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SI3401-E1-GM | Silicon Labs | IC POWER OVER ETHERNET 20QFN | Détails |
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SI3402-A-GM | Silicon Labs | IC POE PD LOW EMI SW REG 20VQFN | Détails |
