SI1012-TP - Micro Commercial Co

Numéro d'article	SI1012-TP
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	500mA
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	750nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 16V
Vgs (Max)	±12V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	150mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 500mA, 2.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-523
Paquet / cas	SOT-523
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SI1000-C-GM	Silicon Labs	IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN	Détails
SI1000-CSA2-GM	Silicon Labs	IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN	Détails
SI1000-E-GM2	Silicon Labs	IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA	Détails
SI1000-E-GM2R	Silicon Labs	IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA	Détails
SI1000-ESA2-GM	Silicon Labs	IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN	Détails
SI1000-ESA2-GMR	Silicon Labs	IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN	Détails
SI1000DK	Silicon Labs	DEVELOPMENT KIT SI101X	Détails
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SI1001-E-GM2	Silicon Labs	IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA	Détails
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