SI1012-TP - Micro Commercial Co

Número de pieza	SI1012-TP
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	500mA
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	750nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 16V
Vgs (Max)	±12V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	150mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 500mA, 2.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-523
Paquete / caja	SOT-523
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SI1000-C-GM	Silicon Labs	IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN	Detalles
SI1000-CSA2-GM	Silicon Labs	IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN	Detalles
SI1000-E-GM2	Silicon Labs	IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA	Detalles
SI1000-E-GM2R	Silicon Labs	IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA	Detalles
SI1000-ESA2-GM	Silicon Labs	IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN	Detalles
SI1000-ESA2-GMR	Silicon Labs	IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN	Detalles
SI1000DK	Silicon Labs	DEVELOPMENT KIT SI101X	Detalles
SI1001-C-GM	Silicon Labs	IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN	Detalles
SI1001-E-GM2	Silicon Labs	IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA	Detalles
SI1001-E-GM2R	Silicon Labs	IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA	Detalles