2N7002T-TP - Micro Commercial Co

Numéro d'article	2N7002T-TP
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	115mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	150mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-523
Paquet / cas	SOT-523
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
2N7000	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000,126	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92	Détails
2N7000-D26Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000-D74Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000-D75Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails
2N7000-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3	Détails
2N7000BU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92	Détails
2N7000BU_T	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V TO92	Détails
2N7000CSM	SEME-LAB	N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR	Détails
2N7000G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Détails