VI30100SG - VISHAY

Numéro d'article: VI30100SG
Fabricant: VISHAY
Brève description: High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie: Transistor à diodes - 2
Heure de livraison: 1 Day
Code de date: New
Quantité en stock: 3273000 pcs
Prix de référence: USD 0/pcs
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Numéro d'article	VI30100SG
Package Type	SMD or Through Hole
Rohs Status	Lead free / RoHS Compliant
Description	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A
MFG Part Code	VI30100SG
Series	VI3010
Delivery Time	1 Day
Caractéristiques	-
Tension	-
Date Code	New
Type de montage	-
Température de fonctionnement	-
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1
Actuel	-
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VI30100C	VISHAY	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A	Détails
VI30100C-E3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO262	Détails
VI30100C-M3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-262AA	Détails
VI30100CHM3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-262AA	Détails
VI30100S	VISHAY	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A	Détails
VI30100S-E3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO262AA	Détails
VI30100S-M3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-262AA	Détails
VI30100SG	VISHAY	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A	Détails
VI30100SG-E3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO262AA	Détails
VI30100SG-M3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-262AA	Détails