VI30100SG - VISHAY

Artikelnummer: VI30100SG
Hersteller: VISHAY
Kurze Beschreibung: High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A
Bleifreier Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie: Dioden Transistor - 2
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Datumscode: New
Bestandsmenge: 3273000 pcs
Referenzpreis: USD 0/pcs
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Artikelnummer	VI30100SG
Package Type	SMD or Through Hole
Rohs Status	Lead free / RoHS Compliant
Description	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A
MFG Part Code	VI30100SG
Series	VI3010
Delivery Time	1 Day
Eigenschaften	-
Stromspannung	-
Date Code	New
Befestigungsart	-
Betriebstemperatur	-
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1
Strom	-
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
VI30100C	VISHAY	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A	Einzelheiten
VI30100C-E3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO262	Einzelheiten
VI30100C-M3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-262AA	Einzelheiten
VI30100CHM3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-262AA	Einzelheiten
VI30100S	VISHAY	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A	Einzelheiten
VI30100S-E3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO262AA	Einzelheiten
VI30100S-M3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-262AA	Einzelheiten
VI30100SG	VISHAY	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A	Einzelheiten
VI30100SG-E3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO262AA	Einzelheiten
VI30100SG-M3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-262AA	Einzelheiten