• France
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Accueil › catégories de produits › RF/IF et RFID › Accessoires RF › GB195NI
GB195NI

GB195NI - Laird Technologies IAS

Numéro d'article
GB195NI
Fabricant
Laird Technologies IAS
Brève description
MOUNT MAGN 3/4" A195 NM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
GB195NI Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Accessoires RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
696 pcs
Prix ​​de référence
USD 39.046/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour GB195NI

GB195NI Description détaillée

Numéro d'article GB195NI
État de la pièce Active
Type d'accessoire -
À utiliser avec / Produits connexes -
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR GB195NI

Image Numéro d'article Les fabricants La description Vue
GB1000008 GB1000008 Diodes Incorporated CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K Détails
GB1000015 GB1000015 Diodes Incorporated CRYSTAL 10.0000MHZ 30PF TH Détails
GB1000017 GB1000017 Diodes Incorporated CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K Détails
GB100TS60K GB100TS60K IR GB100TS60K IR SMD or Through Hole New Original Stocks Détails
GB100XCP12-227 GB100XCP12-227 GeneSiC Semiconductor IGBT 1200V 100A SOT-227 Détails
GB1020003 GB1020003 Diodes Incorporated CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K Détails
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2 Détails
GB10RF60K GB10RF60K ORIGINAL GB10RF60K ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks Détails
GB10SLT12-214 GB10SLT12-214 GeneSiC Semiconductor SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A Détails
GB10SLT12-220 GB10SLT12-220 GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC Détails