CPC5602CTR - IXYS Integrated Circuits Division

Numéro d'article	CPC5602CTR
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	350V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	5mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-0.35V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 0V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	Depletion Mode
Dissipation de puissance (Max)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 Ohm @ 50mA, 350mV
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-223
Paquet / cas	TO-261-4, TO-261AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
CPC5001G	IXYS Integrated Circuits Division	OPTOISO 3.75KV 2CH OPEN DRN 8DIP	Détails
CPC5001GS	IXYS Integrated Circuits Division	OPTOISO 3.75KV 2CH OPEN DRN 8SMD	Détails
CPC5001GSTR	IXYS Integrated Circuits Division	OPTOISO 3.75KV 2CH OPEN DRN 8SMD	Détails
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