CPC5602CTR - IXYS Integrated Circuits Division

Número de pieza	CPC5602CTR
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	350V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	-0.35V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 0V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	Depletion Mode
Disipación de potencia (Máx)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 Ohm @ 50mA, 350mV
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-223
Paquete / caja	TO-261-4, TO-261AA
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
CPC5001G	IXYS Integrated Circuits Division	OPTOISO 3.75KV 2CH OPEN DRN 8DIP	Detalles
CPC5001GS	IXYS Integrated Circuits Division	OPTOISO 3.75KV 2CH OPEN DRN 8SMD	Detalles
CPC5001GSTR	IXYS Integrated Circuits Division	OPTOISO 3.75KV 2CH OPEN DRN 8SMD	Detalles
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