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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › T-TD1R4N60P 11
T-TD1R4N60P 11

T-TD1R4N60P 11 - IXYS

Numéro d'article
T-TD1R4N60P 11
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 600V
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
T-TD1R4N60P 11 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
16832 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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T-TD1R4N60P 11 Description détaillée

Numéro d'article T-TD1R4N60P 11
État de la pièce Obsolete
FET Type -
La technologie -
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Température de fonctionnement -
Type de montage -
Package de périphérique fournisseur -
Paquet / cas -
Poids -
Pays d'origine -

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Image Numéro d'article Les fabricants La description Vue
T-TD1R4N60P 11 T-TD1R4N60P 11 IXYS MOSFET N-CH 600V Détails